[Diffusion]RTA
Specification(세부규격)
1. Process Chamber Unit
-Process Chamber
-Small Volume Chamber
-Process gas shower head
-Process gas outlet Line
-Lamp and quartz window on top plate
-Wafer Loading/ Unloding type open the top plate
2. Loadlock Chamber 및 Wafer Cooling Unit
-Wafer moving mechanism
3. Substrate Heating Unit
-Upper Position Using reflector cooling housing
-Heater Source: Tungsten halogen lamp
-Reflect Cooling: PCW Supply Cooling
-6 Zone fast digital PID Temperature Control
-Susceptor: graphite Sic-coated susceptor
(Sample Size:조각 및 2”~6“ /2” 4매 동시 사용)
-Temperature Control Range : 30 ~ 1200 ℃
-Temperature up rate : 1~50 ℃/sec
-Temperature down rate : 10~50 ℃/sec
-Quartz window down rate : < 20 〬℃/sec
-셋팅온도 도달 후 온도 안정화 시간 : 300~1000 ℃ (5초 이내)
-온도제어 변동성 : ± 1도 이내
-공정유지 시간 : 10분 이내 (1000〬℃ 기준)
-Thermo-couple-R Type
-Wafer Uniformity: < ± 1 ℃ (@1000℃)
-Stable Step, 9-Point T/C Wafer
4. Vacuum Pumping 및 Vacuum Gauge Unit
-TMP 300L/sec
-Dry Scroll Pump 240L
-Cold Cathode gauge
-Pirani gauge
-Ultimate Pressure : 5.0 x 10-7 Torr
-ATM Sensor for atmospheric status
5. MFC Unit
-H2 : 50sccm 이상
-N2 : 200sccm 이상
-Ar : 100sccm 이상
-O2 : 100sccm 이상
-N2 for purge 및 vent : 20slm 이상
-Gas Valve 및 Gas Line
6. System Control Unit
1)HMI PC (windows10)
-CPU-i 79 세대 9700
-RAM-DDR 48G
-VGA-RTX2060
-SSD-240G
2)TFT LCD Monitor:24“ LCD
3)Process Control Sofware:UPRO
-Recipe 50개 이상 저장
-Process Full Auto
-실시간 온도 및 파워 출력값 그래프로 화면에 표기
-모든 데이터는 실시간으로 저장 (차후 테이터를 쉽게 찾아 볼 수 있게 작성)
-압력에 의한 공정 프로그램(3종) 작성
⓵ 고진공+개스
⓶ 저진공+개스
⓷ 대기에서 개스
-셋팅온도 도달 안정화 PID 테이터 값 레시피에 저장(5종)
: 온도별 각 350 〬C, 380 〬C, 450 〬C, 600 〬C, 800 〬C, 1000 〬C 조건 형성
: (온도 승온시간 : 30~60초 이내)
-Full auto transfer
-Wafer Cooling Stage
-Sample Susceptor : wafer 6인치
-Slower & fast pumping
-Slower & fast vent
-Susceptor guide quqrtz support pin
